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2N4339-E3
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -57 V, 1.5 mA, -1.8 V, TO-206AA, 3 Pines, 175 °C
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FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N4339-E3
No. Parte Newark06J8862
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N4339-E3
No. Parte Newark06J8862
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-57V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-57V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula500µA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero1.5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.8V
Diseño de TransistorTO-206AA
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-57V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
500µA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.8V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-57V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
1.5mA
Diseño de Transistor
TO-206AA
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto