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HUF75542P3
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75542P3
No. Parte Newark58K1609
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 10 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $2.370 |
| 250+ | $2.370 |
| 500+ | $2.360 |
Precio para:Cada
Mínimo: 150
Múltiple: 50
$355.50
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75542P3
No. Parte Newark58K1609
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd230W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Disipación de Potencia Pd
230W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza HUF75542P3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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