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NVD6824NLT4G
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 41 A, 0.0165 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD6824NLT4G
No. Parte Newark13AC6220
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD6824NLT4G
No. Parte Newark13AC6220
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id41
Resistencia de Activación Rds(on)0.0165ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0165
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia90
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0165ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
41
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0165
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
90
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
