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NTTFS5C670NLTAG
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 60V, 70A, WDFN-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS5C670NLTAG
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)95Y0311
Cinta adhesiva95Y0311
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.130 |
| 10+ | $1.580 |
| 25+ | $1.430 |
| 50+ | $1.360 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS5C670NLTAG
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)95Y0311
Cinta adhesiva95Y0311
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia63W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6500µohm
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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