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MMBFJ112
JFET Transistor, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ112
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2732
Cinta adhesiva31Y2732
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.489 |
| 25+ | $0.285 |
| 50+ | $0.241 |
| 100+ | $0.196 |
| 250+ | $0.179 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ112
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2732
Cinta adhesiva31Y2732
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5V
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ112
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5V
No. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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