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FQPF9N90CT
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF9N90CT
No. Parte Newark07R8619
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $3.130 |
| 250+ | $2.970 |
| 500+ | $2.810 |
Precio para:Cada
Mínimo: 100
Múltiple: 50
$313.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF9N90CT
No. Parte Newark07R8619
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia de Activación Rds(on)1.12ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.12
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd68W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTO-220F
Disipación de Potencia68
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FQPF9N90CT es un MOSFET de potencia de modo de mejora QFET® de canal N producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Carga baja de la puerta (45nC)
- Bajo Cruce (14pF)
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia de Activación Rds(on)
1.12ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220F
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.12
Disipación de Potencia Pd
68W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
68
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto