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FQD8P10TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD8P10TM
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1531
Cinta adhesiva31Y1531
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Hoja de datos técnicos
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.781 |
| 25+ | $0.692 |
| 50+ | $0.603 |
| 100+ | $0.514 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD8P10TM
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1531
Cinta adhesiva31Y1531
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id6.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.41ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.53
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd44W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia44
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQD8P10TM es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 12nC
- Cruce bajo típico 30pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.41ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.53
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
44W
Disipación de Potencia
44
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FQD8P10TM
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto