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FQD5P20TM
MOSFET Transistor, P Channel, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD5P20TM
No. Parte Newark95W3216
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.160 |
| 10+ | $0.952 |
| 100+ | $0.688 |
| 500+ | $0.612 |
| 1000+ | $0.552 |
| 2500+ | $0.471 |
| 10000+ | $0.461 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD5P20TM
No. Parte Newark95W3216
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id3.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia45W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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