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FDD3510H
MOSFET, N/P-CH, 80V, 13.9A, TO-252 -5
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3510H
No. Parte Newark46AC0766
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3510H
No. Parte Newark46AC0766
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N13.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P13.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.19ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines5Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
13.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.19ohm
No. de Pines
5Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
13.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto