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BSS138W
MOSFET, N CH, 50V, 0.21A, SOT-323-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS138W
No. Parte Newark
Hilado completo85AC1481
Re-reeling (Rollos a medida)31Y0562
Cinta adhesiva31Y0562
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.391 |
| 10+ | $0.239 |
| 25+ | $0.209 |
| 50+ | $0.180 |
| 100+ | $0.150 |
| 250+ | $0.132 |
| 500+ | $0.112 |
| 1000+ | $0.099 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.067 |
| 6000+ | $0.064 |
| 12000+ | $0.060 |
| 18000+ | $0.059 |
| 30000+ | $0.058 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS138W
No. Parte Newark
Hilado completo85AC1481
Re-reeling (Rollos a medida)31Y0562
Cinta adhesiva31Y0562
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id210mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.17ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd340mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia340mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSS138W
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El BSS138W es un FET de modo de mejora de canal N diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO mientras proporciona un rendimiento de conmutación rápido, confiable y resistente. Es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.17ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
340mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
210mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
340mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
