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PSMN013-100BS,118
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100BS,118
No. Parte Newark74AH1179
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.430 |
| 10+ | $2.850 |
| 25+ | $2.560 |
| 50+ | $2.260 |
| 100+ | $1.960 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100BS,118
No. Parte Newark74AH1179
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id68
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0139ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
68
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0139ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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