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PMN25ENEX
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, SOT-457-6
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMN25ENEX
No. Parte Newark65AC3934
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.210 |
| 10+ | $0.762 |
| 25+ | $0.684 |
| 50+ | $0.604 |
| 100+ | $0.506 |
| 250+ | $0.449 |
| 500+ | $0.393 |
| 1000+ | $0.358 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMN25ENEX
No. Parte Newark65AC3934
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorSOT-457
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia560mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-457
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
560mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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