Imprimir página
BSS84,215
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS84,215
No. Parte Newark
Hilado completo97W1932
Re-reeling (Rollos a medida)11N8504
Cinta adhesiva11N8504
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
131 En Inventario
57,860 Puede reservar stock ahora
131 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.481 |
| 10+ | $0.300 |
| 25+ | $0.264 |
| 50+ | $0.226 |
| 100+ | $0.190 |
| 250+ | $0.166 |
| 500+ | $0.143 |
| 1000+ | $0.126 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.082 |
| 6000+ | $0.077 |
| 12000+ | $0.074 |
| 18000+ | $0.069 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS84,215
No. Parte Newark
Hilado completo97W1932
Re-reeling (Rollos a medida)11N8504
Cinta adhesiva11N8504
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10ohm
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd250mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
BSS84,215 is a P-channel vertical D-MOS logic level FET in a plastic package using vertical D-MOS technology. It is used in line current interrupter in telephone sets and relay, high-speed and line transformer drivers.
- Low threshold voltage
- High-speed switching
- Direct interface to CMOS and TTL
- No secondary breakdown
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
250mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84,215
4 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto