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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
No. Parte Newark80AH7709
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
No. Parte Newark80AH7709
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNAND SLC
Tamaño de la Memoria2Gbit
Densidad de Memoria2
Configuración Memoria Flash256M x 8bit
Configuración de Memoria256M x 8bit
Tipo de Interfaz ICParallel
InterfacesParalelo
Estuche / Paquete CIVFBGA
Memoria, TipoVFBGA
No. de Pines63Pines
Frecuencia de Reloj50MHz
Frecuencia Max de Reloj50
Tiempo de Acceso16
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NAND SLC
Densidad de Memoria
2
Configuración de Memoria
256M x 8bit
Interfaces
Paralelo
Memoria, Tipo
VFBGA
Frecuencia de Reloj
50MHz
Tiempo de Acceso
16
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tamaño de la Memoria
2Gbit
Configuración Memoria Flash
256M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
VFBGA
No. de Pines
63Pines
Frecuencia Max de Reloj
50
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto