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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F1T08EELCEJ4-R:C
No. Parte Newark80AH7682
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F1T08EELCEJ4-R:C
No. Parte Newark80AH7682
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashTLC NAND
Tamaño de la Memoria1024Gbit
Densidad de Memoria1024Gbit
Configuración de Memoria128G x 8bit
Configuración Memoria Flash128G x 8bit
Tipo de Interfaz ICParallel
InterfacesParalelo
Estuche / Paquete CIVBGA
Memoria, TipoVBGA
No. de Pines132Pines
Frecuencia de Reloj-
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.-
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Trabajo Máx.70°C
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
TLC NAND
Densidad de Memoria
1024Gbit
Configuración Memoria Flash
128G x 8bit
Interfaces
Paralelo
Memoria, Tipo
VBGA
Frecuencia de Reloj
-
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
-
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
70°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tamaño de la Memoria
1024Gbit
Configuración de Memoria
128G x 8bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
VBGA
No. de Pines
132Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
-
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Rango de Producto
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto