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IRF640NPBF
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 18A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF640NPBF
No. Parte Newark63J7351
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.500 |
| 10+ | $1.090 |
| 100+ | $0.687 |
| 500+ | $0.569 |
| 1000+ | $0.521 |
| 4000+ | $0.483 |
| 10000+ | $0.444 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF640NPBF
No. Parte Newark63J7351
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF640NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 200 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 150mohm
- Disipación de potencia Pd de 150W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 18A en Vgs 10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.15ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF640NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto