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BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 76 A, 11 mohm, TDSON, Montaje Superficial
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $2.070 |
| 25+ | $1.930 |
| 50+ | $1.770 |
| 100+ | $1.630 |
| 250+ | $1.580 |
| 500+ | $1.510 |
| 1000+ | $1.500 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $1.870 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC110N15NS5ATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4470
Re-reeling (Rollos a medida)43AC2204
Cinta adhesiva43AC2204
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id76A
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia125W
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC110N15NS5ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ 5 de 150V
- Canal N, nivel normal
- Excelente carga de puerta x producto RDS (on) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
76A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto