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ZXMN6A07FTA
N CHANNEL MOSFET, 60V, 1A, SOT-23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN6A07FTA
No. Parte Newark87K2357
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Hoja de datos técnicos
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63721 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.744 |
| 10+ | $0.484 |
| 25+ | $0.435 |
| 50+ | $0.387 |
| 100+ | $0.338 |
| 250+ | $0.304 |
| 500+ | $0.269 |
| 1000+ | $0.250 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN6A07FTA
No. Parte Newark87K2357
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd806mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia806mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMN6A07FTA es un MOSFET de modo de mejora de canal N con terminales enchapados en estaño mate y carcasa de plástico moldeado con clasificación de llama UL94V-0. Este MOSFET utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia en el estado con una velocidad de conmutación rápida.
- Baja resistencia de encendido
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Alta velocidad de conmutación
- Calificado AEC-Q101
- Capaz de PPAP
- Nivel-1 por sensibilidad a la humedad J-STD-020
- Producto verde
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
806mW
Disipación de Potencia
806mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZXMN6A07FTA
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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