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DMTH4008LPDWQ-13
DUAL MOSFET, N-CH, 40V/46.2A/POWERDI5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH4008LPDWQ-13
No. Parte Newark13AJ5649
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH4008LPDWQ-13
No. Parte Newark13AJ5649
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N46.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P46.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0123ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerDI5060
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N39.4W
Disipación de Potencia de Canal P39.4W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
46.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
39.4W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
46.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0123ohm
Diseño de Transistor
PowerDI5060
Disipación de Potencia de Canal N
39.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto