Imprimir página
DMP2022LSS-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2022LSS-13
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4804
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6585
Cinta adhesiva82Y6585
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
15 En Inventario
¿Necesita más?
15 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.809 |
| 25+ | $0.728 |
| 50+ | $0.647 |
| 100+ | $0.566 |
| 250+ | $0.514 |
| 500+ | $0.462 |
| 1000+ | $0.429 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.375 |
| 5000+ | $0.364 |
| 10000+ | $0.353 |
| 15000+ | $0.343 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2022LSS-13
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4804
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6585
Cinta adhesiva82Y6585
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente770mV
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza DMP2022LSS-13
4 productos encontrados
Resumen del producto
DMP2022LSS-13 is a single P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA = +25°C
- Drain current is -10A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
- Pulsed drain current is -90A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2.5W
- Static drain-source on-resistance is 13mohm max at VGS = -10V, ID = -10A, TA = +25°C
- SO-8 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
770mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto