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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2028USS-13
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5553
Re-reeling (Rollos a medida)27T2699
Cinta adhesiva27T2699
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Hoja de datos técnicos
820 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.474 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.287 |
| 5000+ | $0.278 |
| 10000+ | $0.269 |
| 15000+ | $0.260 |
| 25000+ | $0.258 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2028USS-13
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5553
Re-reeling (Rollos a medida)27T2699
Cinta adhesiva27T2699
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id9.8A
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd1.56W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.56W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMN2028USS-13 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de cobre con marco de plomo según el estándar MIL-STD-202. Ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado ON RDS (ON) y, sin embargo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Baja fuga de salida
- Protección ESD hasta 2KV
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.56W
Disipación de Potencia
1.56W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN2028USS-13
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto