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2N7002A-7
MOSFET, N-CH, 60V, 0.18A, SOT-23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002A-7
No. Parte Newark07AH5030
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| 25+ | $0.139 |
| 50+ | $0.120 |
| 100+ | $0.103 |
| 250+ | $0.091 |
| 500+ | $0.079 |
| 1000+ | $0.072 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002A-7
No. Parte Newark07AH5030
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id180mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia370mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
2N7002A-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and motor control.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface mount package
- ESD protected gate, 1.2kV HBM, 1kV CDM
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle=1%) is 800mA at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 3.5ohm typ at VGS=5.0V, ID=0.115A, TJ=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
180mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
370mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto