Alimente sus dispositivos con la tecnología de carga de Infineon
Elija entre una amplia oferta de semiconductores que permiten una carga segura y eficiente. Las soluciones de Infineon admiten múltiples aplicaciones de hasta 240 vatios.
CI de carga cableado
Potencia digital XDPS2201 XDP™
Controlador flyback híbrido

El controlador digital XDPS2201 XDP™ se basa en una topología flyback de medio puente asimétrica. Combina la simpleza de una función flyback tradicional con el rendimiento de un convertidor resonante. Esta combinación permite que la conmutación suave natural reduzca las pérdidas de conmutación lo que permite diseños de alta frecuencia de conmutación. Además, el modelo XDPS2201 incluye un controlador de lado alto integrado que permite ahorrar hasta 20 componentes externos. Benefíciese con la BOM reducida y el menor costo.
EZ-PD™ PAG1
Conjunto de circuitos integrados flyback con QR integrado

- Solución de adaptador de alimentación de 2 chips altamente integrada que incluye controlador de SR+PD, todos los circuitos de protección necesarios y controladores FET para accionar los FET primarios, SR y de carga
- EZ-PD™ PAG1P: controlador de arranque primario
- EZ-PD™ PAG1S: controlador de lado secundario
- Flexibilidad para programar el dispositivo según las necesidades del cliente, para configurar los parámetros en múltiples plataformas, así como para actualizar el firmware en el campo
- BOM reducida
EZ-PD™ CCG3PA
Controlador de puerto USB tipo C altamente integrado

- Admite un puerto USB tipo C y un puerto tipo A
- Compatible con suministro de energía USB 3.0 PPS
- Admite los protocolos preexistentes, incluidos Qualcomm QC4.0, carga Apple 2.4 A, AFC, BC 1.2 sin costo adicional de BOM
- Controlador USB-C programable que ofrece la flexibilidad de implementar funciones personalizadas y actualizar el firmware en el campo
- Integra regulación de voltaje y amplificador de detección de corriente
- Integra regulador tolerante a 30 V
- Protección contra cortocircuitos OVP, OCP, UVP, SCP y de VBUS a CC en chip
- Integra un controlador de compuerta PFET VBUS
- ESD a nivel de sistema integrado en VBUS, CC y DP/DM
- Encapsulados: QFN de 24 pines y SOIC de 16 pines
- Compatible con el rango de temperatura industrial ampliado (de -40 °C a +105 °C)
EZ-PD™ CCG3PA-NFET
Controlador de puerto USB tipo C altamente integrado con controlador de compuerta NFET integrado

- Admite un puerto USB tipo C
- Compatible con suministro de energía USB 3.0 PPS
- Admite los protocolos preexistentes, incluidos Qualcomm QC4.0, carga Apple 2.4A, AFC, BC 1.2 sin costo adicional de BOM
- Bucle CC-CV independiente
- Integra un controlador de compuerta VBUS NFET
- Controlador USB-C programable que ofrece la flexibilidad de implementar funciones personalizadas y actualizar el firmware en el campo
- Protección contra cortocircuitos OVP, OCP, UVP, SCP y de VBUS a CC en chip
- Disponible en QFN de 24 pines
EZ-PD™ CCG7DC
El primer controlador PD de doble puerto + controlador CC-CC de la industria

- Integra 2 controladores USB-C PD + 2 controladores CC-CC en un solo chip
- Compatible con los últimos USB-C PD v3.0 con PPS, QC4+, QC4.0, Samsung AFC, Apple 2.4 A, BCv1.2
- Controlador CC-CC: frecuencia de conmutación configurable de
150 kHz a 600 kHz, amplio rango de voltaje de entrada de 4 V a 24 V
(tolerante a 40 V), y frecuencia de espectro ensanchado programable para baja EMI - ARM® Cortex®-M0 con Flash permite a los usuarios implementar funciones personalizadas
- Integra controladores de compuerta VBUS NFET, controladores de compuerta NFET reductores-elevadores, FET VCONN y amplificador de detección de corriente de lado alto (HSCSA)
- Funciones de protección: OVP, UVP, SCP, OCP, OTP y VBUS-CC
- Funciones avanzadas: compartición de la carga dinámica, actualización del firmware firmado de campo y voltaje de entrada reductor optimizado para una mayor eficiencia
- Encapsulado: QFN de 68 pines (8 mm x 8 mm)
- Tipo de encapsulado: bandeja
CI de carga inalámbrica
WLC1115
Transmisor de 15 W

- Transmisor Qi y propietario de hasta 15 W
- Entrada USB-PD o CC
- Frecuencia fija, control de voltaje variable mediante CC/CC integrado
- Controladores de compuerta integrados para inversor de puente completo y CC/CC
- Detección adaptativa de objetos extraños (FOD)
- Admite extensiones de carga PPDE
- Utilidad de configuración gráfica con configuración estática
- Biblioteca de software ModusToolbox™
WLC1150
Transmisor de 50 W

- Transmisor Qi y propietario de hasta 50 W
- Entrada USB-PD o CC
- Frecuencia variable, control de fase y control de voltaje opcional mediante USB-PD/PPS
- Controladores de compuerta integrados para inversor de puente completo y alimentación de ventilador
- Detección adaptativa de objetos extraños (FOD)
- Admite mensajes de proveedor con receptor Infineon
- Utilidad de configuración gráfica con configuración FOD estática, dinámica y actualizada
- Biblioteca de software ModusToolbox™
Interruptores de alto y bajo voltaje
Etapa de potencia integrada CoolGaN™ de 600 V
Etapa de potencia integrada basada en GaN

Interruptor de GaN de última generación de Infineon con controladores dedicados en un diseño de etapa de potencia de medio puente con una solución de encapsulado QFN térmicamente mejorada.
- Clase de voltaje: 600 V
- Encapsulado: QFN-28
- Resistencia en estado encendido:
de 140 a 500 mΩ RDS(on) - Beneficios clave:
- Comportamiento de conmutación superior
- La más alta eficiencia
- Factores de forma pequeños
- Diseños ligeros
GIT HEMT de 600 V CoolGaN™
Interruptores de alto voltaje basados en GaN

- Clase de voltaje: 600 V
- Encapsulados pequeños: ThinPAK 5x6, DFN 8x8, TO-leadless, DSO-20-85, DSO-20-87
- Resistencia en estado encendido:
de 70 a 340 mΩ RDS(on) - Beneficios clave:
- Excelente rendimiento
- La más alta densidad de potencia
- Resistencia dinámica en estado encendido superior
- Baja carga de puerta que permite el encendido con baja corriente
MOSFET CoolMOS™ SJ
Interruptores de alto voltaje basados en silicio

- Clases de voltaje: 600 V, 650 V, 700 V
- Encapsulados pequeños: SOT-223, TO-220 FP, ThinPAK8x8, DPAK
- Beneficios clave:
- Precio competitivo
- Excelente facilidad de uso y rendimiento térmico
- Alta eficiencia
- Buen EMI
MOSFET de potencia OptiMOS™
Interruptores de carga de bajo voltaje y dispositivos de rectificación sincrónica

- Clases de voltaje: de 25 V a 150 V
- Encapsulados pequeños: PQFN 3.3 x 3.3, Super-SO8
- Beneficios clave:
- Reducción de costos de BOM
- Excelente comportamiento térmico
- Relación precio/rendimiento superior
- Permiten los factores de forma más pequeños
Diagramas de bloques
Cargadores y adaptadores USB-C
Carga inalámbrica
